П Р О Г Р А М М А
7-й Международной научно-практической конференции
по физике и технологии наногетероструктурной
СВЧ- электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
| 9:00- 9:45 | РЕГИСТРАЦИЯ КОФЕ — БРЕЙК | |
| 10:00-10:20 | Стриханов
Михаил Николаевич |
Открытие конференции. Торжественное вручение дипломов Стипендиатам Фонда имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г. |
| 10:20-10:40 | Сафаралиев Гаджимет Керимович | Вступительное слово |
| 10:40-11:00 | Каргин
Николай Иванович |
Результаты разработок и перспективы развития Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ |
| 11:00-11:20 | Лабунов Владимир Архипович | Унифицированный подход к созданию структур AIII-BV и 2D на кремнии для устройств СВЧ диапазона |
| 11:20-11:40 | Пожела
Каролис |
Исследования и создание алгоритмов для оптимизации определенных характеристик полупроводниковых и диэлектрических волноводов |
| 11:40-12:00 | Васильевский
Иван Сергеевич |
Влияние пространственно-неоднородных функциональных нанослоев на процессы переноса в гетероструктурных квантовых ямах на основе InGaAs c высокой электронной плотностью |
| 12:00-12:20 | Арендаренко Алексей Андреевич | Тенденции развития МОС-гидридной технологии для гетероэпитаксии нитридных соединений |
| 12:20-12:40 | Цацульников Андрей Федорович | Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе InAlN/GaN и AlGaN/GaN гетероструктур |
| 12:40-13:00 | Гергель
Виктор Александрович |
Импульсный терагерцовый генератор на базе мультибарьерной гетероструктуры
AlxGa1-xAs/GaAs |
| 13:00-13:20 | Концевой
Юлий Абрамович |
Электрические и оптические свойства гетероструктур AlGaN/GaN |
| 13:20-14:00 | ОБЕД | |
| 14:00-15:00 | СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ | |
АУДИТОРИЯ А-405 – 15 докладов,
председатель секции В.А. Кульбачинский
Фундаментальные аспекты гетероструктурной электроники
| 15:00-15:15 | Протасов
Дмитрий Юрьевич |
Повышение слабополевой и сильнополевой подвижности электронов в гетероструктурах
DA-pHEMT |
| 15:15-15:30 | Виниченко Александр Николаевич | Электронные транспортные свойства и особенности роста метаморфных гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs с содержанием InAs в квантовой яме до 100% |
| 15:30-15:45 | Гудина
Светлана Викторовна |
Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в метаморфных наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs |
| 15:45-16:00 | Сибирмовский Юрий Дмитриевич | Электронный транспорт в гибридной системе квантовая яма — квантовые кольца GaAs/AlGaAs |
| 16:00-16:15 | Корякин Александр Александрович | Моделирование формирования осевых гетеропереходов в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах групп А3B5, синтезируемых по механизму «пар-жидкость-кристалл» |
| 16:15-16:30 | КОФЕ — БРЕЙК | |
| 16:30-16:42 | Васильченко Александр Анатольевич | Магические числа и осцилляции незатухающего тока в квантовых точках |
| 16:42-16:54 | Овешников Леонид Николаевич | Влияние топологии магнитной подсистемы
на транспортные свойства гетероструктур с дельта-слоем Mn |
| 16:54-17:06 | Ячменев Александр Эдуардович | Электронный транспорт в AlGaAs/InGaAs PHEMT наногетероструктурах с профилем легирования
в виде нанонитей из атомов олова |
| 17:06-17:18 | Торхов
Николай Анатольевич |
Размерные эффекты в СВЧ-электронике
|
| 17:18-17:30 | Торхов
Николай Анатольевич |
Размерные эффекты в электрических характеристиках омических контактов к гетероэпитаксиальным AlGaN/GaN HEMT-структурам |
| 17:30-17:42 | Лунина
Марина Леонидова |
Изопериодные гетероструктуры GaInPSbAs/InAs |
| 17:42-17:54 | Пушкарев
Сергей Сергеевич |
Эпитаксиальный рост пленок InGaAs
в низкотемпературном режиме на подложках InP (100) и (411)А |
| 17:54-18:06 | Клочков
Алексей Николаевич |
Кинетика релаксации неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных низкотемпературных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А |
| 18:06-18:18 | Карузский
Александр Львович |
Высокочастотные особенности транспорта
в терагерцовых резонансно-туннельных двухбарьерных наноструктурах на основе GaAs/AlAs |
| 18:18-18:30 | Зебрев
Геннадий Иванович |
Влияние поверхностных состояний и внешнего легирования на вольтамперные характеристики графеновых полевых структур |
| 18:30-19:00 | Заключительное чаепитие, обсуждение итогов конференции | |
АУДИТОРИЯ А-407 – 16 докладов,
председатель секции В.А. Лабунов
Технологии перспективных материалов и приборов
| 15:00-15:15 | Бондаренко Виталий Парфирович | Гетероэпитаксия полупроводниковых пленок на пористом кремнии |
| 15:15-15:30 | Долгий
Алексей Леонидович |
Формирование и структура пористых буферных слоев кремния для гетероэпитаксии полупроводниковых пленок на кремниевых подложках |
| 15:30-15:45 | Гайдук
Петр Иванович |
Термическое выращивание эпитаксиальных слоев SiC на пластинах кремния с SiGe буферами |
| 15:45-16:00 | Павлова
Елена Павловна |
Планаризация поверхности карбида кремния ускоренными кластерными ионами |
| 16:00-16:15 | Горох
Геннадий Георгиевич |
Наноструктурированные темплетно-буферные слои на основе матриц анодного оксида алюминия для эпитаксиального роста пленок нитрида галлия |
| 16:15-16:30 | КОФЕ — БРЕЙК | |
| 16:30-16:40 | Плиговка
Андрей Николаевич |
Металлооксидные сверхрешетки из самооранизованных столбиковых наноструктур |
| 16:40-16:50 | Лозовенко
Андрей Александрович |
Регулярные матрицы Al2O3 с нанопроводами InSb для перспективных устройств наноэлектроники |
| 16:50-17:00 | Крылов
Иван Владимирович |
Полупроводниковые газовые сенсоры на основе оксида цинка с квантовыми точками селенида кадмия |
| 17:00-17:10 | Захлебаева
Анна Игоревна |
Формирование и исследование матричныхTiO2/Bi2O3 наноструктур |
| 17:10-17:20 | Аверьянов
Дмитрий Валерьевич |
Структура и свойства тонких пленок EuSi2, эпитаксиально сопряженных с кремнием |
| 17:20-17:30 | Чеботарев
Сергей Николаевич |
Ионно-лучевая кристаллизация упругонапряженных наногетероструктур InAs-QD/GaAs |
| 17:30-17:40 | Пащенко
Александр Сергеевич |
Управляемое легирование наноразмерных полупроводниковых пленок в процессе
ионно-лучевой кристаллизации |
| 17:40-18:00 | Лаврентьев
Кирилл Константинович |
Оптимизация параметров безмасочной нанолитографии затвора СВЧ транзистора
с высокой подвижностью электронов |
| 18:00-19:00 | Заключительное чаепитие, обсуждение итогов конференции | |
АУДИТОРИЯ А-408 – 14 докладов,
председатель секции И.С. Васильевский
Приборы СВЧ и оптоэлектроники
| 15:00-15:15 | Громов
Дмитрий Викторович |
Влияние радиации на характеристики датчиков УФ-излучения на основе природного алмаза |
| 15:15-15:30 | Ходорович Владислав Геннадьевич | Исследования спектров фотолюминесценции гетероструктур AlGaN/GaN |
| 15:30-15:45 | Асланян
Артем Эдуардович |
Особенности спектров электролюминесценции ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов |
| 15:45-16:00 | Дмитриев
Дмитрий Владимирович |
Разработка технологии СВЧ фотодиодов
на основе InAlAs/InGaAs/InP гетероструктур |
| 16:00-16:15 | Хабибуллин
Рустам Анварович |
Разработка и изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных GaAs/AlGaAs гетероструктур |
| 16:15-16:30 | КОФЕ — БРЕЙК | |
| 16:30-16:43 | Безотосный
Виктор Владимирович |
Пути повышения мощности лазерных диодов |
| 16:43-16:56 | Воропаев
Кирилл Олегович |
Омические контакты для наногетероструктур вертикально излучающих лазеров |
| 16:56-17:09 | Майборода
Иван Олегович |
Влияние десорбции галлия на структуру
и морфологию высокотемпературных слоев AlGaN, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии |
| 17:09-17:22 | Езубченко
Иван Сергеевич |
Высококачественные слои AlN на подложках сапфира, полученные методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
|
| 17:22-17:35 | Желаннов
Андрей Валерьевич |
Разработка технологии травления нитрида галлия в хлорсодержащей среде |
| 17:35-17:48 | Миннебаев
Вадим Минхатович |
СВЧ микро-модули на основе GaN HEMT |
| 17:48-18:01 | Миннебаев
Вадим Минхатович |
Вопросы устойчивости ППМ на GaN к входной СВЧ мощности |
| 18:01-18:14 | Арутюнян
Спартак Самвелович |
Влияние гамма-излучения и термоэлектротренировки на характеристики СВЧ монолитных интегральных схем на основе гетероструктур AlGaN/GaN |
| 18:14-18:27 | Большакова
Инесса Антоновна |
Исследование полупроводниковых материалов для сенсоров магнитного поля в сильных магнитных полях при криогенных температурах |
| 18:30-19:00 | Заключительное чаепитие, обсуждение итогов конференции | |
СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
|
25 мая с 10:00 до 18:00 часов (присутствие с 14-00 до 15-00)
|
||
| 1 | Ковальчук
Николай Георгиевич |
Синтез двухслойного графена с нарушенной AB упаковкой методом ХПО при атмосферном давлении |
| 2 | Богданов
Евгений Владимирович |
Влияние одноосного сжатия на поляризацию излучения лазерных диодов на основе n-AlGaAs/GaAsP/p-AlGaAs |
| 3 | Клековкин
Алексей Владимирович |
Исследование перехода от непрямой к прямой запрещенной зоне в эпитаксиальных слоях Ge1-xSnx |
| 4 | Рубан
Олег Альбертович |
Определение степени релаксации в барьерных слоях гетероструктур AlGaN/GaN методом измерения вольт-фарадных характеристик |
| 5 | Бакун
Алексей Дмитриевич |
Исследование технологии глубокого высокоскоростного травления карбида кремния в плазмохимическом процессе |
| 6 | Захарченко
Роман Викторович |
Применение тонкопленочных резисторов для контроля температуры |
| 7 | Матющенко
Илья Александрович |
Кластерные ионные пучки как новый метод получения сверхгладких подложек в технологии производства элементов наноэлектроники |
| 8 | Слаповский
Дмитрий Николаевич |
Исследования вжигаемой композиции омических контактов на основе Si/Al к AlGaN/GaN гетероструктуре |
| 9 | Кулямина
Дарья Андреевна |
Влияние топологии на напряжение пробоя HEMT на основе GaN |
| 10 | Торхов
Николай Анатольевич |
Фрактальная проводимость омических контактов к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN |
| 11 | Веселов
Денис Сергеевич |
Автоматизированная установка жидкостного травления |
| 12 | Амракулов
Медет Мырзабекович |
Теоретический анализ квазиравновесного транспорта носителей заряда в неупорядоченных органических материалах для условий эксперимента CELIV |
| 13 | Устюгова
Алена Владимировна |
Технология создания и характеристики транзистора с каналом на основе графена |
| 14 | Султанов
Азрет Оюсович |
Исследование процесса внедрения углерода
в матрицу пористого кремния |
| 15 | Катин
Константин Петрович |
К вопросу об устойчивости ковалентных комплексов CL-20 |
| 16 | Саунина
Анна Юрьевна |
Влияние микроскопических кулоновских взаимодействий на зависимость подвижности носителей заряда от концентрации в органических материалах |
| 17 | Зотов
Артём Олегович |
Особенности формирования модулированной
по толщине диэлектрической пленки |
| 18 | Веселов
Денис Сергеевич |
Тестирование теплоизолирующих свойств и надежности МЭМС на кремнии |
| 19 | Веселов
Денис Сергеевич |
Расчёт конструкции акселерометра с высоким динамическим диапазоном |
| 20 | Большакова
Инесса Антоновна |
Сенсорный картограф магнитного поля для ускорителя заряженных частиц |
| 21 | Жилинский
Валерий Викторович |
Электрохимический синтез и электрооптические свойства полианилиновых пленок на In2O3-SnO2 для устройств оптоэлектроники |
| 22 | Осинский
Владимир Иванович |
Si/3N нано приборы: второе пришествие кремния |
| 23 | Журавлев
Константин Сергеевич |
А3-N пассивированные гетероструктуры для E-HEMT. |
| 24 | Мосин
Дмитрий Александрович |
Влияние типа и концентрации растворителя меди на дефектность графена при переносе
с поверхности катализатора на целевую подложку |
| 25 | Фельшерук
Андрей Викторович |
Зависимость параметров структуры графена синтезированного на поверхности медного катализатора методом ХПО при атмосферном давлении от времени синтеза |
| 26 | Нигериш
Кирилл Анатольевич |
Статистические параметры линий спектров комбинационного рассеяния света подвешенного графена синтезированного методом ХПО |