Новости и информация

24 мая 2017 года в одном из ведущих Университетов России — Национальном Исследовательском Ядерном Университете МИФИ прошла 8-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», посвященная памяти члена-корреспондента РАН, профессора НИЯУ МИФИ Мокерова Владимира Григорьевича, видного ученого и основателя направления гетероструктурной СВЧ электроники в России.

 

Перед началом работы конференции ректор НИЯУ МИФИ, профессор М.Н. Стриханов подчеркнул большую значимость конференции для оценки современного состояния и анализа перспектив развития наногетероструктурной электроники. Особенно это важно для студентов и аспирантов Университета, которые могут из первых уст услышать о новых достижениях в этой области науки и задать свои вопросы.

 

В торжественной обстановке ректор вместе с учредителем Фонда поддержки науки и образования Ю.А. Мокеровой вручили памятные дипломы и книги лауреатам гранта «Стипендиат Фонда имени члена-корреспондента РАН В.Г. Мокерова»: аспиранту кафедры №67 НИЯУ МИФИ Аврамчуку Александру Васильевичу, аспиранту кафедры №27 НИЯУ МИФИ Смирницкому Николаю Сергеевичу. Также диплом был вручен победителю конкурса на получение именной стипендии имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г., магистранту кафедры №67 НИЯУ МИФИ Барышникову Николаю Борисовичу. Дипломы.

 

За время проведения конференции «Мокеровские чтения» Фонд поддержал 44-х молодых специалистов грантами и именными стипендиями, многие из них теперь уже состоялись как исследователи, технологи и успешно трудятся на благо Российской науки.

 

По сложившейся традиции М.Н. Стриханов преподнес цветы вдове ученого Ю.А. Мокеровой, поблагодарив ее за заметный вклад в развитие образовательной и научной деятельности и за постоянную помощь в организации мероприятия.

 

С приветственным словом к участникам конференции выступил депутат Государственной думы, член-корреспондент РАН Г.К. Сафаралиев. Он поблагодарил ректора НИЯУ МИФИ за поддержку и развитие этого актуального направления в Университете, которое послужит укреплению позиций ВУЗа как мирового исследовательского центра, и отметил высокий статус конференции.

 

Доклад Каргина Николая Ивановича — директора Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ, был посвящен результатам инновационных разработок, новым технологическим возможностям и перспективам развития Института в образовании и науке.

 

Директор ИСВЧПЭ РАН д.т.н., профессор С.А. Гамкрелидзе в завершение своего выступления сообщил участникам Конференции о полученном подтверждении от ФАНО России о присвоении ИСВЧПЭ РАН почетного наименования «имени члена корреспондента РАН В.Г. Мокерова» после утверждения нового Устава. Эта важная информация была принята аудиторией единодушными одобрительными аплодисментами. Член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н., профессор Владимир Григорьевич Мокеров был основателем и первым директором ИСВЧПЭ РАН.

 

С презентациями и докладами, отражающими современное состояние и пути развития СВЧ-твердотельной электроники на основе наноразмерных гетероструктур и других новых функциональных материалов, выступили такие известные специалисты, как академик РАН и НАН Республики Беларусь В.А. Лабунов, член-корреспондент РАН А.Ю. Егоров, профессор МГУ им. М.В. Ломоносова А.П. Шкуринов. Представили свои последние достижения и многие другие ведущие специалисты и ученые, специализирующиеся в области разработок материалов, технологий и приборов СВЧ-, нано- и функциональной электроники.

 

На конференции было представлено 80 докладов (52 устных и 28 стендовых), в том числе 11 докладов были представлены иностранными участниками. На научных секциях конференции обсуждались направления: фундаментальные аспекты наногетероструктурной сверхвысокочастотной электроники; полупроводниковые СВЧ приборы и устройства: производство, технологии и свойства; гетероструктуры и сверхрешетки, двумерные, одномерные и нульмерные структуры; структурные свойства наносистем и гетероструктур; функциональная электроника, нанометрология в электронике, образование в сфере современной электроники. В этом году большое количество докладов было выделено в отдельную, новую секцию – «Терагерцовая электроника и фотоника».

 

По результатам работы конференции будет опубликован сборник избранных работ в журналах Journal of Physics: Conference Series, Нано- и Микросистемная Техника.

 

С информацией о конференции МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ вы можете ознакомиться также на сайте НИЯУ МИФИ.


 

Выступление Ю.А.Мокеровой, Учредителя Фонда имени члена-корреспондента РАН В.Г.Мокерова, на Юбилейном собрании ФГБУН ИСВЧПЭ РАН 18.04.2017:

 

Пользуясь предоставленной мне возможностью выступления, я хотела бы коротко рассказать о работе, которая проведена за истекший период Фондом «Поддержки образования и науки имени члена-корреспондента РАН, доктора физ.-мат. наук, профессора Владимира Григорьевича Мокерова».

 

Во-первых, это организация и проведение Конференций (теперь имеющих статус международных) по физике и технологии гетероструктурной СВЧ электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», которые проводятся  ежегодно с 2010г. в НИЯУ МИФИ, где Владимир Григорьевич был заведующим кафедрой и успел не мало сделать для становления научного центра «Нанотехнологии», оснащенным высокотехнологичным оборудованием.

 

Ректор НИЯУ МИФИ М.Н. Стриханов, который входит в Попечительский совет Фонда,  все годы лично открывает Конференции, он придает им большое значение, как получившим широкую известность в научных кругах и неизменно вызывающим интерес не только у специалистов в области гетероструктурной СВЧ электроники, но и у молодых ученых, студентов.

 

За истекший период в работе Конференций приняли участие более 800 человек, было сделано более 380 докладов. На последней Конференции  в мае 2016 г.было сделано 75 докладов, отражающих современное состояние и пути развития твердотельной СВЧ-электроники. География авторов докладов и участников Конференций охватывает практически все крупные научные и производственные центры России в Москве, Санкт-Петербурге, Зеленограде, Фрязино, Нижнем Новгороде, Великом Новгороде, Екатеринбурге, Томске, Омске, СО РАН — в Новосибирске, ЮО РАН — в Ростове-на-Дону и другие  — полный перечень размещен на сайте Фонда. Принимали участие в работе Конференций, в т.ч. делали доклады, и зарубежные коллеги из нескольких стран. Для аспирантов и студентов подобные Конференции — это возможность услышать о новых достижениях в науке и исследовательской деятельности различных научных и производственных центров из первых уст.

 

Во-вторых, в поддержку талантливой молодежи Фондом учреждены и были вручены 24 именных гранта и 24 именных стипендии студентам и молодым ученым, работающим в области современной СВЧ электроники.

 

Насколько мне известно, в настоящее время на следующую Конференцию в мае сего года подано более 75 докладов, рассматриваются кандидатуры для получения  грантов и стипендий.

 

Мы по-прежнему поддерживаем воскресную школу для детей сирот.

 

Я очень признательна ученикам Владимира Григорьевича, его сотрудникам, многие из которых, я это хорошо знаю, хранят добрую память и уважение к памяти своего, с большой буквы, Учителя.

 

Портрет Владимира Григорьевича находится в музее физфака Ленинградского Университета, который он закончил (ныне Ст.Петербургский Университет), в Университете МИРЭА, где долгие годы Владимир Григорьевич был зав.кафедрой, имеется мемориальная доска и аудитория его имени, в МИКРОНЕ (Зеленоград), в ИСВЧПЭ РАН, основателем которого он является.

 

16 апреля 2002 года вышло постановление Президиума РАН № 109 о создании Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии (ИСВЧПЭ РАН). Эта дата и считается днем рождения нового Института. Этому предшествовала крайне непростая и чрезвычайно напряженная работа в течение ряда лет, что достаточно подробно описано во 2-м томе биографической книги, которая практически готова к печати, частичная информация имеется также и на сайте Фонда в разделе «Воспоминания о В.Г.Мокерове». Подчеркиваю, ИСВЧП РАН единственный институт открытый в те непростые времена для отечественной науки и закрытия ряда НИИ, а уж никак не открытия новых. Естественно это был очень сложный период для Владимира Григорьевича, его заслугу в создании этого Института трудно переоценить.

 

Мне известно, что Ученый совет и коллектив ИСВЧПЭ РАН обращался изначально, уже в 2008 г., затем в 2014г., с ходатайством о присвоении Институту имени его основателя — члена-корреспондента РАН, доктора физико-математических наук, профессора Владимира Григорьевича Мокерова.  Я крайне признательна всем и считаю, что Владимир Григорьевич это заслужил своим неимоверными усилиями и  трудом, в том числе по созданию ИСВЧПЭ РАН, высочайшей ответственностью перед коллективом, единодушно последовавшим за ним в созданный им Институт, сохранением своей школы учеников — студентов и аспирантов. Для Владимира Григорьевича, человека высочайшей порядочности, с безупречной научной и личностной репутацией, всегда первостепенными оставались его научная и образовательная деятельность, он имел заслуженный   высокий авторитет и не только в научном сообществе, и не только у нас, но и в зарубежных научных кругах, например во Франции, Индии, Нидерландах.

 

Прошло 15 лет. Я желаю дальнейших успехов коллективу Института и нижайше прошу помнить имя Владимира Григорьевича вне зависимости от того, будет ли принято чиновниками от науки формальное решение о присвоении его имени Институту или нет. Сам он никогда не стремился к наградам, хотя орден Почета, врученный В.В.Путиным, хранил с особой гордостью. Я искренне благодарю директора ИСВЧПЭ РАН Сергея Анатольевича Гамкрелидзе, только что  подтвердившего нам, что им будут приняты все необходимые меры для придания Институту имени Владимира  Григорьевича. Время покажет.

 

Заканчивая, я хотела бы процитировать слова из благодарственной грамоты, полученной Фондом от Патриархата РПЦ: «В святом Евангелии Господь говорит:  «Жатвы много, а делателей мало.» Но как не может укрыться город, стоящий на вершине горы, так труды Владимира Григорьевича не останутся без внимания в истории науки. Он, один из родоначальников отечественной школы сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники, продолжает незримо жить в своих последователях, своих учениках, в новых достижениях наших ученых, и это лучшая награда для него. Пока живет на земле наше дело, наш род, живем и мы, и память о человеке действительно становится вечной.

 

Разрешите вручить Почетные Грамоты Фонда имени В.Г.Мокерова ряду научных сотрудников за плодотворную работу в области СВЧ гетероструктурной электроники и в ознаменование 15-летнего Юбилея ФГБУН ИСВЧПЭ РАН (вручает член Координационного совета Фонда, к.ф.-м.н., доцент кафедры «Физика конденсированных сред» НИЯУ МИФИ И.С.Василевский. Грамоты будут размещены на сайте Фонда).

 

Спасибо за внимание.

 

Выступление  Ю.А.Мокеровой завершено аплодисментами коллектива Института.


 

Почетными Грамотами награждены:

 

ПОЧЕТНАЯ ГРАМОТА

 

«За плодотворную работу в области СВЧ гетероструктурной электроники основателя научного направления и ИСВЧПЭ РАН, члена-корреспондента РАН Владимира Григорьевича Мокерова, и в ознаменование 15-летнего юбилея, данной Почетной Грамотой награждается ….»:

 

1.Пушкарев Сергей Сергеевич, старший научный сотрудник ФГБУН ИСВЧПЭ РАН

2.Клочков Алексей Николаевич, старший научный сотрудник ФГБУН ИСВЧПЭ РАН

3.Климов Евгений Александрович, старший научный сотрудник ФГБУН ИСВЧПЭ РАН

4.Галиев Ринат Радифович, старший научный сотрудник ФГБУН ИСВЧПЭ РАН

5.Щаврук Николай Васильевич, старший научный сотрудник ФГБУН ИСВЧПЭ РАН

6.Ячменев Александр Эдуардович, научный сотрудник ФГБУН ИСВЧПЭ РАН

7.Павлов Владимир Юрьевич, младший научный сотрудник ФГБУН ИСВЧПЭ РАН

8.Михайлович Сергей Викторович, младший научный сотрудник ФГБУН ИСВЧПЭ РАН


 

Информация для Грантополучателей 2016-2017г.г.

 

Совет по Грантам Фонда имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г.Мокерова уведомляет Грантополучателей, что отчет о проделанной работе в рамках Грантовой Программы «Стипендиат Фонда В.Г. Мокерова» должен быть сдан в срок до 1 мая 2017 года.

 

В отчет входит: краткое описание проведенных работ и их результатов; публикации научных результатов, полученных при выполнении гранта; участие в научных конференциях.


 

Объявляется прием заявлений для получения Грантов «Стипендиат Фонда имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г.» в 2017-2018 гг. С условиями приема заявлений Вы можете ознакомиться в ИЗВЕЩЕНИИ — открыть.Срок подачи заявлений до 15 апреля 2017 года.

 


 

Объявляется прием заявлений для получения повышенных стипендий имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г. на 2017-2018гг. С условиями приема заявлений Вы можете ознакомиться в ИЗВЕЩЕНИИ — открыть. Срок подачи заявлений до 15 апреля 2017 года.

 


 

25 мая 2016 года в Национальном Исследовательском Ядерном Университете МИФИ прошла 7-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», посвященная памяти члена-корреспондента РАН, профессора НИЯУ МИФИ Мокерова Владимира Григорьевича, видного ученого и основателя направления гетероструктурной СВЧ электроники в России.

 

Открыл конференцию ректор НИЯУ МИФИ М.Н.Стриханов. В своем приветственном слове он обратил внимание участников на большую значимость этого мероприятия, получившего широкую известность в научных кругах и неизменно вызывающего заметный интерес не только со стороны специалистов в области гетероструктурной СВЧ электроники, но и молодых ученых, студентов и аспирантов.

 

По установленной традиции ректор в торжественной обстановке вручил дипломы лауреатам гранта «Стипендиат Фонда имени члена-корреспондента РАН В.Г. Мокерова»: аспиранту кафедры №67 НИЯУ МИФИ Сибирмовскому Юрию Дмитриевичу, инженеру ИФЯЭ НИЯУ МИФИ Захарченко Роману Викторовичу, аспиранту кафедры №67 НИЯУ МИФИ Матющенко Илье Александровичу дипломы. А также победителям конкурса на получение именной стипендии имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г. студентам магистратуры НИЯУ МИФИ: Сафонову Даниле Андреевичу, Номоеву Сергею Андреевичу, Рубакину Денису Игоревичу дипломы.

 

Перед началом работы конференции ректор НИЯУ МИФИ М.Н.Стриханов преподнес цветы вдове ученого Ю.А.Мокеровой, поблагодарив ее за заметный вклад в развитие образовательной и научной деятельности и за значительную помощь в организации мероприятия.

 

Депутат Государственной думы член-корреспондент РАН Гаджимет Керимович Сафаралиев выступил с приветственным словом. Он отметил высокий статус конференции и поблагодарил ректора НИЯУ МИФИ за поддержку в университете современных электронных технологий и фундаментальных исследований.

 

На конференции было представлено 75 доклада (49 устных и 26 стендовых), отражающих современное состояние и пути развития твердотельной СВЧ-электроники. На научных секциях конференции обсуждались направления: фундаментальные аспекты наногетероструктурной сверхвысокочастотной электроники; полупроводниковые СВЧ приборы и устройства: производство, технологии и свойства; гетероструктуры и сверхрешетки, двумерные, одномерные и нульмерные структуры; структурные свойства наносистем и гетероструктур; функциональная электроника, нанометрология в электронике, образование в сфере современной электроники.

 

География авторов и участников конференции охватывает всю Россию: г.Москва, г.Санкт-Петербург, г.Томск, г.Екатеринбург, г.Зеленоград, г.Краснодар, г.Волгоград, г.Нижний Новгород, г.Великий Новгород, г.Фрязино, г.Омск, г.Ростов-на-Дону, г.Новосибирск. Также в работе конференции приняли участие зарубежные коллеги из Белорусии, Литвы, Финляндии, Украины и США.

 

С докладами выступили ученые из ИСВЧПЭ РАН, ФИАН, Курчатовского Института, ИРЭ РАН, МГУ, НИИ «Пульсар», Завода «Пульсар», МИЭТ, Института физики твердого тела РАН, НПФ «МИКРАН», ФТИ им. А.Ф.Иоффе, ИФП СО РАН, ЗАО «Планета-Аргалл», ОКБ «Планета», НИИ «Полюс», ИПТМ РАН, Южного научного центра РАН, ЗАО «НТ-МДТ», ЗАО «Элма-Малахит», ЗАО НПК «Электровыпрямитель», ИФП им.А.В. Ржанова СО РАН, МГТУ МИРЭА.

 

Такие известные учёные как, академик В.А.Лабунов, д.т.н. Ю.А. Концевой (ОАО «НПП «Пульсар»), к.ф.-м.н. А.Ф.Цацульников (Физико-технический институт имени Иоффе) представили свои последние достижения, а с обзорными докладами выступили д.ф.-м.н. К.Пожела, (Институт физики полупроводников г.Вильнюс), д.ф.-м.н. В.А.Гергель (ИРЭ им. В.А.Котельникова), д.т.н.  Н.И.Каргин (НИЯУ МИФИ), д.т.н. Д.В.Громов (НИЯУ МИФИ) и многие другие.

 

Конференция «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ» проводится в НИЯУ МИФИ с 2010 года. За это время в работе конференции приняли участие более 800 человек, было сделано более 326 докладов, от Фонда поддержки образования и науки имени члена-корреспондента РАН В.Г.Мокерова были вручены 20 именных грантов и 20 именных стипендий.

 

С информацией о конференции МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ вы можете ознакомиться на сайте НИЯУ МИФИ: https://mephi.ru/content/news/1387/112746/.


 

Информация для Грантополучателей 2015-2016г.г.

 

Совет по Грантам Фонда имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г.Мокерова уведомляет Грантополучателей, что отчет о проделанной работе в рамках Грантовой Программы «Стипендиат Фонда В.Г. Мокерова» должен быть сдан в срок до 1 мая 2016 года.

 

В отчет входит: краткое описание проведенных работ и их результатов; публикации научных результатов, полученных при выполнении гранта; участие в научных конференциях.


 

Объявляется прием заявлений для получения Грантов «Стипендиат Фонда имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г.» в 2016-2017 гг. С условиями приема заявлений Вы можете ознакомиться в ИЗВЕЩЕНИИ — открыть. Срок подачи заявлений до 15 апреля 2016 года.


 

Объявляется прием заявлений для получения повышенных стипендий имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г. на 2016-2017гг. С условиями приема заявлений Вы можете ознакомиться в ИЗВЕЩЕНИИ — открыть. Срок подачи заявлений до 15 апреля 2016 года.


 

20-21 мая 2015 года в Национальном Исследовательском Ядерном Университете МИФИ состоялась 6-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», посвященная 75-летию со дня рождения видного научного деятеля и основателя направления гетероструктурной СВЧ-электроники в России, члена-корреспондента Российской Академии наук, профессора НИЯУ МИФИ Владимира Григорьевича Мокерова.

 

Перед началом работы конференции ректор НИЯУ МИФИ М.Н.Стриханов преподнес цветы вдове ученого Ю.А.Мокеровой, поблагодарив ее за заметный вклад в развитие образовательной и научной деятельности. В приветственном слове к участникам конференции ректор подчеркнул большую значимость данного мероприятия, получившего широкую известность в научных кругах и неизменно вызывающего заметный интерес не только со стороны специалистов в области гетероструктурной СВЧ электроники, но и молодых ученых, студентов и аспирантов.

 

По уже сложившейся традиции М.Н.Стриханов в торжественной обстановке вручил дипломы лауреатам гранта «Стипендиат Фонда поддержки образования и науки имени члена-корреспондента РАН В.Г.Мокерова» и победителям конкурса на получение именной стипендии имени члена-корреспондента РАН В.Г.Мокерова. Грант предоставляется для поддержки научной или преподавательской активности при условии актуальности и значимости заявленной работы.

 

В этом году лауреатами гранта стали молодые ученые: научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН Н.А.Юзеева, аспирант кафедры №67 НИЯУ МИФИ С.В.Миннебаев, инженер ИФЯЭ НИЯУ МИФИ А.Д.Бакун, инженер ИФЯЭ НИЯУ МИФИ К.С.Земцов, инженер ИФЯЭ НИЯУ МИФИ С.А.Шостаченко дипломы. А Победителем конкурса на получение именной стипендии имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г. стал студент 4-го курса кафедры №67 НИЯУ МИФИ М.Ю.Сергеев диплом.

 

Почетными грамотами Фонда имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г. были награждены: член Попечительского Совета Фонда имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г., кандидат технических наук, доцент Гладков Владимир Петрович и директор музея физического факультета Санкт-Петербургского Государственного университета, кандидат физ.-мат. наук, доцент Рудакова Тамара Викторовна почетные грамоты.

 

Научный форум прошел в двухдневном формате, в ходе работы ученые с мировым именем, а также молодые ученые представили 54 доклада (43 устных и 11 стендовых), отражающих современное состояние и пути развития твердотельной СВЧ-электроники.

 

На научных секциях конференции обсуждались направления: фундаментальные аспекты наногетероструктурной сверхвысокочастотной электроники; полупроводниковые СВЧ приборы и устройства: производство, технологии и свойства; гетероструктуры и сверхрешетки, двумерные, одномерные и нульмерные структуры; структурные свойства наносистем и гетероструктур; функциональная электроника, нанометрология в электронике, образование в сфере современной электроники.

 

География авторов и участников конференции охватывает всю Россию: г.Москва, г.Санкт-Петербург, г.Екатеринбург, г.Зеленоград, г.Краснодар, г.Саранск, г.Черноголовка, г.Волгоград, г.Нижний Новгород, г.Великий Новгород, г.Фрязино, г.Омск, г.Ростов-на-Дону, г.Новосибирск. Также в работе конференции приняли участие зарубежные коллеги из Белорусии, Литвы, Финляндии, Украины и США.

 

С докладами выступили ученые из ИСВЧПЭ РАН, ФИАН, Курчатовского Института, ИРЭ РАН, МГУ, НИИ «Пульсар», Завода «Пульсар», МИЭТ, Института физики твердого тела РАН, НПФ «МИКРАН», ФТИ им. А.Ф.Иоффе, ИФП СО РАН, ЗАО «Планета-Аргалл», ОКБ «Планета», НИИ «Полюс», ИПТМ РАН, Южного научного центра РАН, ЗАО «НТ-МДТ», ЗАО НПК «Электровыпрямитель», ИФП им.А.В. Ржанова СО РАН, МГТУ МИРЭА.

 

Такие известные учёные как, К.Л.Енишерова (ОАО «НПП «Пульсар»), А.А. Лебедев (Физико-технический институт имени Иоффе), В.Ф. Елесин (НИЯУ МИФИ) представили свои последние достижения, а с обзорными докладами выступили К.Пожела, (Институт физики полупроводников г.Вильнюс), В.А.Гергель (ИРЭ им. В.А.Котельникова), Н.И.Каргин (НИЯУ МИФИ), Е.М.Гейфман (ЗАО НПК «Электровыпрямитель»), Д.В.Громов (НИЯУ МИФИ) и многие другие.

 

НИЯУ МИФИ был представлен на конференции работами, выполненными в лабораториях НОЦ «Наноцентр», входящим в состав института функциональной и ядерной электроники. МИФИ на протяжении вот уже 7 лет постоянно развивает центр для разработок в области некремниевой электроники, СВЧ и функциональной электроники.

 

Конференция «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ» проводится в НИЯУ МИФИ с 2010 года. За это время в работе конференции приняли участие более 600 человек, было сделано более 250 докладов, от Фонда поддержки образования и науки имени члена-корреспондента РАН В.Г.Мокерова были вручены 17 именных грантов и 17 именных стипендий.

 

Тематика конференции за эти годы расширилась, в этом году доклады представлены представителями 27 организаций, число докладов увеличилось до 54-х. Заметную часть традиционно занимают доклады по современным проблемам физики и технологии СВЧ электроники, также были представлены доклады по проблемам оптоэлектроники, спинтроники, силовой и функциональной электроники.

 

По итогам мероприятия лучшие труды 6-й Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники будут опубликованы в журнале «Нано- и микросистемная техника», включенном в перечень научно-технических изданий ВАК России.

 

С информацией о конференции МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ вы можете ознакомиться на сайте НИЯУ МИФИ.


 

Объявляется прием заявлений для получения Грантов «Стипендиат Фонда имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г.» в 2015-2016гг. С условиями приема заявлений Вы можете ознакомиться в ИЗВЕЩЕНИИ — открыть. Срок подачи заявлений до 01 марта 2015 года.


 

Объявляется прием заявлений для получения повышенных стипендий имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г. на 2015-2016гг. С условиями приема заявлений Вы можете ознакомиться в ИЗВЕЩЕНИИ — открыть. Срок подачи заявлений до 01 марта 2015 года.


 

Информация для Грантополучателей и Стипендиатов 2014-2015г.г.

 

Совет по Грантам Фонда имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г.Мокерова уведомляет Грантополучателей и Стипендиатов, что промежуточный отчет о проделанной работе в рамках Грантовой Программы «Стипендиат Фонда имени В.Г. Мокерова» должен быть сдан в срок до 31 декабря 2014 года.

 

В отчет входит: краткое описание проведенных работ и их результатов; публикации научных результатов, полученных при выполнении гранта; участие в научных конференциях.

 

Стипендиатам необходимо предоставить данные об успеваемости по профилирующим предметам (физика, спецкурсы, связанные с тематикой фонда).


 

21-22 мая 2014 года в Национальном Исследовательском Ядерном Университете МИФИ состоялась 5-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», посвященная памяти выдающегося ученого, члена-корреспондента РАН Владимира Григорьевича Мокерова.

 

На открытии конференции, после приветственного слова, ректор НИЯУ МИФИ М.Н.Стриханов вручил дипломы Стипендиатам ФОНДА имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г.: м.н.с. ИСВЧПЭ РАН А.Н.Клочкову. инженеру-исследователю НИЦ Курчатовского института Аверьянову Дмитрию Валерьевичу, м.н.с. ИСВЧПЭ РАН Пушкареву Сергею Сергеевичу, инженеру ИФЯЭ НИЯУ МИФИ Захарченко Роману Викторовичу, аспиранту кафедры №27 НИЯУ МИФИ Ванюхину Кириллу Дмитриевичу, инженеру ИФЯЭ НИЯУ МИФИ Коленцовой Ольге Сергеевне дипломы и Победителю конкурса на получение именной стипендии имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г., студенту 5-го курса кафедры №67 НИЯУ МИФИ Шостаченко Станиславу Алексеевичу диплом, а также вручил Почетные грамоты членам Координационного Совета Фонда имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г. инженеру ИФЯЭ НИЯУ МИФИ Виниченко Александру Николаевичу и доценту кафедры №67 НИЯУ МИФИ, к.ф.-м.н. Васильевскому Ивану Сергеевичу почетные грамоты.

 

Юбилейная конференция собрала на треть больше участников – 43 доклада были представлены от научных групп ВУЗов, Российской академии наук, научно-исследовательских и производственных организаций из Москвы, Омска, Зеленограда, Новосибирска, Санкт-Петербурга, Волгограда, Нижнего Новгорода и Великого Новгорода. С приглашенными докладами выступили зарубежные коллеги – академик Ю. Пожела из Литвы и профессор А. Кожанов из США.

 

Доклады конференции отражали следующие направления: фундаментальные аспекты наногетероструктурной сверхвысокочастотной электроники; полупроводниковые СВЧ приборы и устройства: производство, технологии и свойства; гетероструктуры и сверхрешетки, двумерные, одномерные и нульмерные структуры; структурные свойства наносистем и гетероструктур; функциональная электроника и оптоэлектроника. В этом году большое внимание привлекли работы в области нитрид-галлиевых гетероструктур и приборов СВЧ электроники, квантовой инженерии гетероструктур, исследованиям новых материалов для электроники.

 

Впервые на нашей конференции прозвучал доклад об истории Санкт-Петербургского Государственного Университета и его роли в становлении отечественной физики. Докладчик, Т.В. Рудакова, рассказала о крупных научных школах Ленинградского Государственного университета начала-середины ХХ-го века и о начале творческого пути члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г. Именно в ЛГУ, на кафедре молекулярной физики физического факультета, в 1960-х годах Владимир Григорьевич Мокеров сформировался как ученый в составе научной группы профессора Е.Ф. Гросса.

 

Научное наследие Владимира Григорьевича ‒ яркий пример, подтверждающий эффективность созданной отечественной системы образования и её продукта ‒ научной школы, развитию которой он посвятил свою жизнь. В 2010 году вышла в свет книга «НАУЧНОЕ НАСЛЕДИЕ», в которой суммированы все основные научные труды В.Г. Мокерова.

 

Конференция «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ» проводится в НИЯУ МИФИ в 5-ый раз. За годы работы было сделано 160 докладов, а в работе конференции приняли участие более 450 человек. За это время были вручены ФОНД-ом имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г 16 именных стипендий и 12 именных грантов.

 

С информацией о конференции МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ вы можете ознакомиться на сайте НИЯУ МИФИ.


 

Объявляется прием заявлений для получения Грантов «Стипендиат Фонда имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г.» в 2014-2015 гг. С условиями приема заявлений Вы можете ознакомиться в ИЗВЕЩЕНИИ — открыть. Срок подачи заявлений до 1 марта 2014 года.


 

Объявляется прием заявлений для получения повышенных стипендий имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г. на 2014-2015гг. С условиями приема заявлений Вы можете ознакомиться в ИЗВЕЩЕНИИ — открыть. Срок подачи заявлений до 1 марта 2014 года.


 

Информация для Грантополучателей и Стипендиатов 2013-2014г.г.

 

Совет по Грантам Фонда имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г.Мокерова уведомляет Грантополучателей и Стипендиатов, что промежуточный отчет о проделанной работе в рамках Грантовой Программы «Стипендиат Фонда имени В.Г. Мокерова» должен быть сдан в срок до 1 декабря 2013 года.

 

В отчет входит: краткое описание проведенных работ и их результатов; публикации научных результатов, полученных при выполнении гранта; участие в научных конференциях.

 

Стипендиатам необходимо предоставить данные об успеваемости по профилирующим предметам (физика, спецкурсы, связанные с тематикой фонда).


 

23-24 мая 2013 года в Национальном Исследовательском Ядерном Университете МИФИ состоялась 3-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», посвященная памяти выдающегося ученого члена-корреспондента РАН Владимира Григорьевича Мокерова.

 

Открыл конференцию «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ» ректор НИЯУ МИФИ М.Н.Стриханов. Он вручил дипломы Стипендиатам ФОНДА имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г.: инженеру ИФЯЭ НИЯУ МИФИ Ю.Д.Сибирмовскому и м.н.с. ИСВЧПЭ РАН А.Н.Клочкову — дипломы. Также М.Н.Стрихановым были вручены дипломы Победителям конкурса на получение именной стипендии имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г., студентам НИЯУ МИФИ: Д.А.Доможакову (студенту 4-го курса кафедры №3), В.С.Лопотову (студенту 5-го курса кафедры №67), М.В.Поликарпову (студенту 5-го курса кафедры №67), В.А.Беляеву (студенту 4-го курса кафедры №3), А.Д.Бакуну (студенту 4-го курса кафедры №27) — дипломы.

 

На конференции присутствовали представители вузов, Российской академии наук, научно-исследовательских и производственных организаций. С научными докладами выступили ученые с мировым именем и молодые ученые, которые только начинают свой путь в науке. Доклады конференции отражали следующие направления: фундаментальные аспекты наногетероструктурной сверхвысокочастотной электроники; полупроводниковые СВЧ приборы и устройства: производство, технологии и свойства; гетероструктуры и сверхрешетки, двумерные, одномерные и нульмерные структуры; структурные свойства наносистем и гетероструктур; функциональная электроника и оптоэлектроника. Тематика конференции расширилась, в этом году были представлены доклады по физике и технологии светодиодов на основе нитридов галлия и алюминия, вертикально-излучающих лазеров. В области СВЧ гетероструктурной электроники большой акцент в сообщениях был сделан на развитие технологии метаморфных гетероструктур для коротковолнового диапазона частот. На конференции появились также работы по МЭМС элементам для СВЧ компонентной базы.

 

С информацией о конференции МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ вы можете ознакомиться на сайте НИЯУ МИФИ.


 

19 апреля 2013 года в МИРЭА была торжественно открыта аудитория имени профессора В.Г.Мокерова. Аудитория была названа в память о выдающемся российском ученом, создателе гетероструктурных полевых транзисторов СВЧ диапазона, члене-корреспонденте РАН, профессоре, докторе физ.-мат.наук, заведующем кафедрой полупроводниковых приборов с 1993 по 2008 год. На открытии присутствовали члены Ученого совета кафедры полупроводниковых приборов, ректор МИРЭА Александр Сергеевич Сигов, учредитель Фонда имени члена-корреспондента РАН МОКЕРОВА В.Г. Юлия Алексеевна Мокерова и члены координационного Совета Фонда имени члена-корреспондента РАН МОКЕРОВА В.Г. А.С.Васильевский и Г.Р.Мартиросова. см. фотографии.


 

Информация для Грантополучателей 2012-2013г.г.

Совет по Грантам Фонда имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г.Мокерова уведомляет Грантополучателей, что отчет о проделанной работе в рамках Грантовой Программы «Стипендиат Фонда В.Г. Мокерова» должен быть сдан в срок до 1 мая 2013 года.

 

В отчет входит: краткое описание проведенных работ и их результатов; публикации научных результатов, полученных при выполнении гранта; участие в научных конференциях.


 

Объявляется прием заявлений для получения Грантов «Стипендиат Фонда имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г.» в 2013-2014 гг. С условиями приема заявлений Вы можете ознакомиться в ИЗВЕЩЕНИИ — открыть. Срок подачи заявлений до 15 апреля 2013 года.


 

Объявляется прием заявлений для получения повышенных стипендий имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г. на 2013-2014гг. С условиями приема заявлений Вы можете ознакомиться в ИЗВЕЩЕНИИ — открыть. Срок подачи заявлений до 15 апреля 2013 года.


 

Информация для Грантополучателей и Стипендиатов 2012-2013г.г.

 

Совет по Грантам Фонда имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г.Мокерова уведомляет Грантополучателей и Стипендиатов, что промежуточный отчет о проделанной работе в рамках Грантовой Программы «Стипендиат Фонда имени В.Г. Мокерова» должен быть сдан в срок до 1 ноября 2012 года.

 

В отчет входит: краткое описание проведенных работ и их результатов; публикации научных результатов, полученных при выполнении гранта; участие в научных конференциях.

 

Стипендиатам необходимо предоставить данные об успеваемости по профилирующим предметам (физика, спецкурсы, связанные с тематикой фонда).


 

16-17 мая 2012 года в Национальном Исследовательском Ядерном Университете МИФИ состоялась 2-ая Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», посвященная памяти выдающегося ученого члена-корреспондента РАН Владимира Григорьевича Мокерова.

 

Открыл конференцию «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ » ректор НИЯУ МИФИ М.Н.Стриханов. Он вручил дипломы Стипендиатам ФОНДА имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г.: инженеру ИФЯЭ НИЯУ МИФИ Е.М.Резковой, с.н.с. ИСВЧПЭ РАН А.Ю.Павлову и м.н.с. ИСВЧПЭ РАН Е.А.Климову — дипломы. Также М.Н.Стрихановым были вручены дипломы Победителям конкурса на получение именной стипендии имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г., студентам НИЯУ МИФИ: С.С.Арутюняну, Д.Н.Слаповскому, И.С.Еремину, В.С.Лопотову, М.В.Поликарпов, А.М.Королеву — дипломы.

 

Стипендиат Фонда аспирант кафедры №67 Д.С.Пономарев выступил со словами благодарности. В своем выступлении он отметил, что благодаря этой конференции и Фонду имени В.Г.Мокерова интерес молодежи к науке растет.

 

Тематика конференции была посвящена 7-ми разделам: фундаментальные аспекты наногетероструктурной сверхвысокочастотной электроники; полупроводниковые СВЧ приборы и устройства: производство, технологии и свойства; гетероструктуры и сверхрешетки, двумерные, одномерные и нульмерные структуры; структурные свойства наносистем и гетероструктур; нанометрология в электронике; функциональная электроника; образование в сфере современной электроники.

 

На конференции присутствовали представители вузов, Российской академии наук, научно-исследовательских и производственных организаций. С научными докладами выступили ученые с мировым именем: академик РАН Ю.К.Пожела, член-корреспондент РАН В.Г.Бамбуров, член-корреспондент РАН В.М.Устинов профессор МГУ А.Э.Юнович и другие. Свои доклады представили и молодые ученые, которые только начинают свой путь в науке.

 

Юлия Алексеевна Мокерова – Учредитель Фонда поддержки образования и науки имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г.Мокерова, выступила с речью, в которой отметила большую роль НИЯУ МИФИ в воспитании молодого поколения — текст выступления Ю.А.Мокеровой.

 

Информация о конференции размещена на сайте НИЯУ МИФИ http://mephi.ru/content/news/1387/17206/


 

17 апреля 2012 года в Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) состоялось расширенное заседание Ученого совета, посвященное десятилетию организации института. Была открыта мемориальная доска в честь основателя и первого директора ИСВЧПЭ РАН члена-корреспондента РАН профессора д.ф-м.н. Мокерова Владимира Григорьевича фото мемориальной доски.


 

Информация для Грантополучателей 2011-2012г.г.

Совет по Грантам Фонда имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г.Мокерова уведомляет Грантополучателей, что отчет о проделанной работе в рамках Грантовой Программы «Стипендиат Фонда В.Г. Мокерова» должен быть сдан в срок до 1 мая 2012 года.

 

В отчет входит: краткое описание проведенных работ и их результатов; публикации научных результатов, полученных при выполнении гранта; участие в научных конференциях.


 

Объявляется прием заявлений для получения Грантов «Стипендиат Фонда имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г.» в 2012-2013 гг. С условиями приема заявлений Вы можете ознакомиться в ИЗВЕЩЕНИИ — открыть. Срок подачи заявлений до 15 марта 2012 года.


Объявляется прием заявлений для получения повышенных стипендий имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г. на 2012-2013гг. С условиями приема заявлений Вы можете ознакомиться в ИЗВЕЩЕНИИ — открыть. Срок подачи заявлений до 22 февраля 2012 года.


 

Информация для Грантополучателей 2011-2012г.г.

Совет по Грантам Фонда имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г.Мокерова уведомляет Грантополучателей, что промежуточный отчет о проделанной работе в рамках Грантовой Программы «Стипендиат Фонда В.Г. Мокерова» должен быть сдан в срок до 1 ноября 2011 года.

 

В промежуточный отчет входит: краткое описание проведенных работ и их результатов; публикации научных результатов, полученных при выполнении гранта; участие в научных конференциях; план работы на следующее полугодие (ноябрь 2011 года – апрель 2012 года). Выплата Фондом Гранта будет производиться после получения указанных документов (размер стипендии — 100.000 руб.).


 

12-13 мая 2011 года в Национальном Исследовательском Ядерном Университете МИФИ прошла 1-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ- электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ».

 

Конференция была посвящена памяти члена-корреспондента РАН, профессора НИЯУ МИФИ Мокерова Владимира Григорьевича, выдающегося ученого и основателя направления гетероструктурной СВЧ-электроники в России. В этом году Владимиру Григорьевичу Мокерову исполнился бы 71 год. В 2008 г. в МИФИ была создана новая кафедра «Физика наноразмерных гетероструктур и СВЧ-наноэлектроника», разработана концепция создания Научно-образовательного центра «Наногетероструктурной электроники», ныне осуществляемая в Наноцентре НИЯУ МИФИ.

 

Конференция собрала ведущих специалистов страны в области гетероструктурной СВЧ-электроники – представителей вузов РАН, производственных и научно-исследовательских организаций. В ходе работы научного форума с презентациями и докладами, отражающими современное состояние и пути развития СВЧ-твердотельной электроники на основе наноразмерных гетероструктур и других новых функциональных материалов, выступили известные ученые: академик РАН Ю.К.Пожела, член-корреспондент РАН Г.К.Сафаралиев, член-корреспондент РАН Д.Р.Хохлов, профессор МГУ А.Э.Юнович и другие.

 

Тематика конференции была посвящена основным 6-ти разделам: фундаментальные аспекты гетероструктурной сверхвысокочастотной электроники; полупроводниковые СВЧ-приборы и устройства, технология и свойства; гетероструктуры и сверхрешетки, двумерные, одномерные и нульмерные структуры; структурные свойства наносистем и гетероструктур; функциональная электроника; нанометрология в электронике.

 

На конференции были вручены дипломы Стипендиатам ФОНДА имени члена-корреспондента РАН МОКЕРОВА В.Г., аспирантам НИЯУ МИФИ: Д.С.Пономареву, Р.А.Хабибуллину, А.Л.Кванину С.С.Пушкареву.


 

Курсы английского языка.

 

С ноября 2010 года по май 2011 года Фондом имени В.Г.Мокерова были организованы курсы усовершенствования английского языка. По итогам обучения 12 слушателям были вручены Сертификаты.


 

26 ноября 2010 года в Национальном Исследовательском Ядерном Университете МИФИ прошел Семинар «Наногетероструктурная СВЧ-электроника», посвященный памяти члена-корреспондента РАН Мокерова Владимира Григорьевича.

 

Программа семинара состояла из устных докладов, воспоминаний и презентации книги «НАУЧНОЕ НАСЛЕДИЕ», в которой представлен обзор научных работ выдающегося ученого, профессора, доктора физико-математических наук, члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г.

 

Семинар собрал ведущих специалистов в области гетероструктурной СВЧ-электроники, представителей вузов, производственных и научно-исследовательских организаций. С обзорными докладами о современных разработках и отечественных достижениях выступили известные ученые: член-корреспондент РАН В.М. Устинов, доктор физ-мат наук Г.Б. Галиев, доктор физ-мат наук, профессор МГУ В.А. Кульбачинский, кандидат технических наук Ю.Н. Свешников и другие. С приветственным словом обратился к участникам ректор НИЯУ МИФИ М.Н. Стриханов, который высоко оценил вклад В.Г. Мокерова в развитие МИФИ и предложил сделать проведение семинара в университете регулярным событием.

 

В завершение семинара каждому участнику была торжественно вручена книга «НАУЧНОЕ НАСЛЕДИЕ члена корреспондента РАН, профессора В.Г.Мокерова» и проведена экскурсия в Наноцентр МИФИ.


 

В ноябре 2010 года вышла в свет книга «НАУЧНОЕ НАСЛЕДИЕ».

 

Данный труд представляет собой обзор научных работ выдающегося ученого и организатора науки, основателя и первого директора Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) Мокерова Владимира Григорьевича.

 

В.Г. Мокеров внес огромный вклад в развитие отечественной электронной промышленности. Его работы посвящены преимущественно созданию и изучению элементной базы гетероструктурных наноэлектронных приборов, технологии создания, методам контроля и анализа полупроводниковых и других твердотельных структур. В книге представлены практически все работы ученого, опубликованные в разные годы в научной периодике. Эти труды объединены в разделы по определенной научной проблематике. Специальные темы представлены в отдельных параграфах.

 

Книга вышла в свет благодаря большой работе, проведенной профессором МГУ Владимиром Анатольевичем Кульбачинским и аспирантом МГУ Алексеем Николаевичем Клочковым.


 

Благотворительная деятельность.

 

В 2010-2011 гг. оказывалась  регулярная материальная помощь воскресной школе для детей-сирот.


 

26 июля 2010 года на основании решения Учредителя – Мокеровой Юлии Алексеевны, был зарегистрирован Фонд поддержки образования и науки имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г.Мокерова.

 

Предметом деятельности Фонда является оказание поддержки развития образования и науки в следующих направлениях: физика и технология наноразмерных гетероструктур, физика полупроводников, сверхвысокочастотная твердотельная полупроводниковая электроника, квантовая электроника, нанотехнологии в электронике.

 

Фонд оказывает поддержку в проведении конференций, семинаров  по вышеуказанным направлениям; оказывает поддержку студентам и сотрудникам института в совершенствовании знания иностранных языков.

 

Фонд производит выплату Грантов в рамках Грантовой Программы «Стипендиат Фонда имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г.Мокерова»; выплату повышенных Стипендий в рамках Грантовой Программы «Стипендиат Фонда имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г.Мокерова», а также осуществляет благотворительную деятельность в воскресной школе для сирот.