Программа конференции

23 мая

9:00-9:45

РЕГИСТРАЦИЯ

10:00-10:15

Открытие конференции ректор НИЯУ МИФИ, д.ф.-м.н.Стриханов Михаил Николаевич

Вступительное слово ректора НИЯУ МИФИ. Торжественное вручение дипломов Стипендиатам Фонда имени члена-корреспондента РАН Мокерова В.Г.

10:15-10:40

член-корр. РАН Сафаралиев Гаджимет Керимович

Материалы на основе твердых растворов SiC-AlN для экстремальной электроники: монокристаллы, эпитаксиальные слои и керамика

10:40-11:05

Первый зам. дир. ИФЯЭ НИЯУ МИФИ, д.т.н. Каргин Николай Иванович

Научно-технологический потенциал и разработки института функциональной ядерной электроники и НОЦ «Нанотехнологии» НИЯУ МИФИ

11:05-11:30

член-корр. РАН Бамбуров Виталий Григорьевич

Наноструктурированный композит EuO:Fe для спинтроники

11:30-11:50

КОФЕ — БРЕЙК

11:50-12:10

С.н.с. ФТИ им. А.Ф. Иоффе, к.т.н. Малеев Николай Анатольевич

Температурно-стабильные одномодовые полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры с полосой рабочих частот выше 10 ГГц

12:10-12:30

Зав. лаб. МЛЭ И НЛ ИФЯЭ НИЯУ МИФИ к.ф.-м.н. Васильевский Иван Сергеевич

Увеличение подвижности электронов в РНЕМТ гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с нанобарьерами AlAs в спейсерном/донорном слоях

12:30-12:50

Вед. н.с. ИРЭ РАН, д.ф.-м.н. Котельников Игорь Николаевич

Локальная диэлектризация в двумерном канале под туннельным затвором в структуре Al/delta-GaAs

12:50-13:10

С.н.с. ФИАН, к.ф.-м.н. Карузский Александр Львович

Процессы переключения и детектирования СВЧ излучения в резонансно-туннельных структурах

13:10-14:00

ОБЕД

СЕССИЯ 1

14:00-14:15

Зав. лаб. ИСВЧПЭ РАН, к.т.н. Павлов Александр Юрьевич

Изготовление СВЧ переключателей сигналов в виде подвешенной мембраны с фоторезистивным жертвенным слоем.

14:15-14:30

Глав. спец. ИФЯЭ НИЯУ МИФИ, к.т.н. Пашков Виктор Семенович

Ультрафиолетовые светодиоды на основе твердых растворов (AlGaInN)

14:30-14:45

Вед. электронщик Новгородского ГУ Гудков Геннадий Владимирович

Измерительный комплекс для СВЧ p-i-n-диодов

14:45-15:00

Профессор НИЯУ МИФИ, д.т.н. Громов Дмитрий Викторович

Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в наногетероструктурных приборах

15:00-15:15

Инж.-иссл. ИСВЧПЭ РАН Пушкарев Сергей Сергеевич

Применение, электронные и релаксационные свойства, особенности конструкции и технологии эпитаксиального роста метаморфных НЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs (обзор).

15:15-15:30

Инж.-констр. Новгородского ГУ Козловский Эдуард Юрьевич

СВЧ микроприборы на основе pHEMT структур

15:30-15:55

КОФЕ-БРЕЙК

СЕССИЯ 2

15:55-16:10

М.н.с. ИСВЧПЭ РАН Лаврухин Денис Владимирович

Исследование электрофизических и оптических свойств метаморфных наногетероструктур In0.38Ga0.62As/In0.38Al0.62As/GaAs выращенных при различных давлениях мышьяка.

16:10-16:25

М.н.с. Новгородского ГУ Федоров Дмитрий Геннадьевич

Формирование ионно-легированных слоев на нитриде галлия

16:25-16:40

Глав. констр. НФП «Микран» Арыков Вадим Станиславович

Нормально-закрытый полевой СВЧ транзистор на основе GaAs

16:40-17:00

Инженер «Нитридные кристаллы» Курин Сергей Юрьевич

Возможности хлоридно-гидридной эпитаксии для выращивания наноразмерных гетеростурктур нитридов для приборов силовой электроники

17:00-17:15

Вед. инж. Новгородского ГУ Драгуть Максим Викторович

Технология формирования субмикронного затвора полевого транзистора для применения в СВЧ МИС на основе GaAs

17:15-17:30

М.н.с. Новгородского ГУ Тимофеев Глеб Олегович

Анализ арсенид-галлиевых микроструктур на пластине с применением примесной подсветки

17:40-17:45

Инж.-иссл. ИСВЧПЭ РАН Трофимов Александр Александрович

Одностороннее шлифование и полирование пластин GaAs с выходом на заданную толщину с точностью 2 мкм и шероховатости поверхности 3 нм

17:45-18:00

М.н.с. ИСВЧПЭ РАН Щаврук Николай Васильевич

Исследование различных конструкций электростатических МЭМС СВЧ переключателей сигналов

24 мая

СЕССИЯ 1

10:00-10:15

Махиборода Александр Васильевич

Проблемы построения высокоскоростной коммутационной среды на базе матрицы автоэмиссионных катодов

10:15-10:30

Пушкарев Сергей Сергеевич

Остаточная упругая деформация в МНЕМТ наногетероструктурах In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As: моделирование и эксперимент.

10:30-10:45

Макаров Андрей Александрович

Механизмы пробоя в транзисторных структурах AlGaN/GaN

10:45-11:00

Клочков Алексей Николаевич

Сравнение электрофизических, структурных и оптических свойств MHEMT гетероструктур In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на ингулярных и разориентированных подложках GaAs.

11:00-11:15

Москвин Василий Владимирович

Зависимость изменения поверхностного потенциала на гетерогранице узкозонного и широкозонного материалов в HEMT-структурах на основе соединений AlGaN/AlN/GaN от приложенного напряжения

11:15-11:40

КОФЕ-БРЕЙК

СЕССИЯ 2

11:40-11:55

Лопотов Валентин Сергеевич

Взаимосвязь фотолюминесцентных и электрофизических свойств МНЕМТ наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As с различным дизайном метаморфного буфера.

11:55-12:10

Стеблин Сергей Александрович

Влияние природы зондирующего реагента на состав пленок нитрида кремния, осажденных в современном реакторе диодного типа

12:10-12:25

Сибирмовский Юрий Дмитриевич

Особенности роста и свойства ансамблей квантовых колец InxGa1-xAs, выращенных методом капельной эпитаксии

12:25-12:40

Ермолов Андрей Сергеевич

Температурные исследования динамики процессов переключения и явления внутренней бистабильности в резонансно-туннельных наногетероструктурах на основе соединений InAlAs/InGaAs/InP

12:40-13:00

Захарченко Роман Викторович

Технологические особенности формирования прозрачных проводящих контактов из пленки ITO для светодиодов на основе GaN.

Закрытие конференции